BGO电光晶体

BGO晶体,又称为锗酸铋晶体,化学式为Bi12GeO20,是一种多功能光电材料, 在可见光范围内具有高速光折变响应, 以及良好的压电、声光、磁光, 旋光和电光等性能。Bi4Ge3O12和 Bi12GeO20晶体都简称为 BGO。Bi4Ge3O12属于立方晶系六四面体体心结构,空间群为 F43m,主要用作闪烁体;Bi12GeO20也是立方品系体心结构,但空间群为 I23,主要利用它的光折变效应、电光效应等。由于晶体是立方对称的,当无外电场时,晶体表现为光学各向同性,对波长510 nm的光折射率为2.55;当存在外电场时,晶体表现出双折射效应。BGO晶体具有低暗电导率、无色透明和不溶于水等优点。BGO不仅可用于普克尔斯盒,也可用于紫外范围内的光折变器件。
特点:
- 高电光系数(r41=3,5 pm/v)
- 低暗电导率
- 大尺寸元件或晶片较多可达3“
- 可根据要求定制
晶体规格
通光孔径 | 85% |
尺寸公差 | +0.0/-0.2mm |
厚度公差 | ±0.2mm |
平行度 | <30弧秒 |
倒角 | <0.3mm @45° |
表面质量 | 40/20 |
波前畸变 | <λ/4 @632.8nm |
涂料 | 无涂层 |
晶体特性
化学式 | Bi4Ge3O12 |
晶格参数 | 10.15Å |
密度 | 9.2g/cm3 |
传输范围 | 0.45-7μm |
折射率 | 2.55 @0.63μm |
旋光性 | 41.5deg/mm @500nm |
电光系数 | r41=4.1pm/v |
介电常数 | 40 |
谱图
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BGO强度谱图 | BGO透过率谱图 |
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