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公司专注于激光晶体和激光器件。基于核心产品定位,芯飞睿逐步建立了专业的基础硬件设施和技术研发团队。芯飞睿拥有提拉炉,下降炉和熔盐炉等等多种不同类型的晶体生长炉,用于生长各类光学晶体。建设有双面抛光、环抛为主的平面抛光设备,用于各类激光晶体的加工。拥有离子辅助沉积(IAD)镀膜机,用于高损伤阈值的激光镀膜。建设了激光器件研发和生产条件,用于激光器件的研发和生产。

长晶车间拥有包括提拉炉,下降炉,熔盐炉,热交换炉在内的各种生长设备。 可生长各种掺杂的YVO4、YAG、 YLF、尖晶石、氟化物、BBO、 LBO、 CLBO等激光相关材料。 加工车间拥有包括X射线衍射仪,内圆切割机,单线切割机,多线切割机,无心磨床在内的多种加工设备。 可完成毛坯材料的粗加工。 抛光车间拥有包括手修磨抛机,数控平面精密铣磨机,双面研磨抛光机,精密研磨抛光机,两轴研磨抛光机,四轴精密研磨抛光机,平面精密环抛机,双面研磨抛光机在内的多种抛光设备。 具有完整工艺的抛光产线4条(2条产线建设中)。可完成各类激光材料的高品质抛光。针对诸如钛宝石,蓝宝石等超高硬度材料开发了完整的抛光加工能力。

镀膜车间拥有400m2超净操作间,车间内拥有包括日本光驰1300CBI在内多台专业镀制强激光光学薄膜的高性能镀膜机。通过优化薄膜的设计与蒸镀工艺,可实现紫外266nm-红外10.6μm范围内的高损伤阈值镀膜。芯飞睿采用热蒸发、电子蒸发和离子辅助沉积技术进行镀膜,薄膜激光损伤阈值超过40J/cm2 @ 1064nm 5ns10Hz, 达到行业领先水平。器件装配车间拥有100m2的超净操作间,可进行480nm-1550nm范围内的磁光,声光, 电光器件研发,生产工作。检测中心结合客户使用需求,搭建了材料激光效率测试平台,可对产品的激光性能参数进行测试。


长晶

长晶炉

  • 提拉法晶体生长生长炉
  • 温度梯度法晶体生长炉
  • 下降法晶体生长炉
长晶炉

提拉法晶体生长方法及生长炉

提拉法是目前使用最为广泛的工业化晶体生长方法,其通过坩埚上方悬吊籽晶,从熔体中缓慢向上旋转提拉的方式来生长晶体,晶体尺寸,生长速率精准可控,生长过程可直接观察监测,温场条件灵活可变,用以匹配不同种类晶体的生长需求,可以适用于生长品类不同,尺寸各异的晶体。
其优点在于:

  • 适用性广,是工业化生产使用最多的生长方式
  • 温场条件灵活可变,适配不同种类晶体;(可根据生长晶体的不同物性来调整适当的温场及生长工艺条件)
  • 生长过程直观可见;(可通过观察视窗观察到晶体生长的过程,方便过程监控及工艺调整)
  • 可以生长直径范围在10-100mm,等径长度超300mm的晶体;(匹配不同坩埚)

公司采用提拉法先后生长过多个系列几十种晶体,包括:稀土或过渡金属离子掺杂YAG系列,YAP系列,硅酸盐系列,蓝宝石系列,钒酸盐系列,铌酸盐系列,硼酸盐系列等几十种晶体。

温度梯度法晶体生长炉

该方法是通过使用特制的发热体,在纵向方向上形成稳定的温度梯度,在坩埚底部内置籽晶,从而实现晶体在坩埚内部自下而上的结晶生长。该方法生长过程中,坩埚静置不动,内部熔体自然对流,更易于形成稳定的生长界面,生长高品质晶体。
其特点是:

  • 温场梯度稳定性好
  • 温度控制稳定性高,控温精度±0.1℃
  • 晶体批量生长的稳定性好

常用于生长钛宝石,红宝石,V:YAG等高掺杂浓度,掺杂离子均匀性要求高的晶体。

下降法晶体生长炉

该方法是在生长区构建一个稳定的适用于结晶生长的温度梯度,然后将坩埚缓慢的向下运动,穿过生长区,使得坩埚内部的原料在生长区内缓慢熔化、结晶生长,该方法突破了温梯法固定温区对坩埚尺寸的限制,能够生长出尺寸更大,结晶高度更长的晶体。
其特点是:

  • 稳定性好
  • 灵活性好,可以匹配不同的坩埚,生长不同尺寸的晶体
  • 可以生长直径更大,高度更高的晶体坯料
  • 可是适用于生长直径35-200mm,高度到50-100mm尺寸的晶体

采用该方法设备成功生长了氟化物系列晶体,如MgF2, LiF, BaF2, CaF2, CeF3等,并用于批量生长直径6英寸的氟化物系列晶体。


切割

单线切割机

多线切割机

通过一根高速稳定往复运转的金刚线对固定在工作区间内的晶体坯料进行精密切割。常用于大型晶坯定向切割、开孔,线切割通过切割线切割晶体,结晶力小,切割过程平缓,不易开裂。

  • 工作区间大:500*500*500mm
  • 切割精度高:±0.05mm;
  • 旋转角精度:<0.1°

多线切割机

通过多根高速稳定往复运转的金刚线对固定在工作区间内的晶体坯料进行精密切割,在其工作区间内,一次能够同时切割几十到几千片同一厚度的产品,所以常被用于大批量产品的快速精密加工。

  • 工作区间大:800*500*500mm
  • 切割精度高:±0.05mm;
  • 批量能力:~3000片/day

镀膜

IAD-900-镀膜机

IAD-900-镀膜机

  • 离子源:VEECO_Mark_Ⅲ
  • 电子枪:日本-JEOL -BS-60050EBS
  • 膜厚仪:美国-INFICON-IC6
  • 真空系统:φ550低温泵
  • 极限真空:2*10-5 Pa
  • 最大镀膜工件:dia 300mm
  • 镀膜波段:UV355-IR3500nm

IAD-1300-镀膜机

  • 离子源:中科院空间中心
  • 电子枪:南京涉谷
  • 膜厚仪:MXC-3D
  • 真空系统:TK-500 扩散泵
  • 极限真空:4*10-5 Pa
  • 最大镀膜工件:dia 500mm
  • 镀膜波段:IR1500-IR10600nm
IAD-1300-镀膜机

器件

封装设备-包括cos焊接设备、平行焊接设备、手动金丝键合设备、LD快轴压缩平台、激光器组装调试平台等

高低温老化炉、高温精密烤箱、XRD衍射仪、冷等静压成型机、高低温能量测试平台、激光波长计、光束发散角测试平台、激光损伤测试平台、影像仪、晶体光轴检测平台、晶体偏振消光比测试平台、2940nmEr:YAG能量检测平台、拉力测试平台、摩擦磨损试验机等。

HC-SM100 平行焊接设备

HC-SM100 平行焊接设备

  • 型号:KD-V43,
  • 极限真空<1*10-3pa,
  • 最大焊接面积:300*400mm,
  • 温度范围:最高可达450℃
  • 可以有效降低芯片焊接的空洞率、提高焊接强度,并改善芯片散热水平。
  • 能够提供泵源光源的可靠性以及工作稳定性。

真空共晶炉

  • 型号HC-SM100
  • 可以焊接的尺寸:3×3mm ~ 20×20mm
  • 焊接形状:圆形、方形等
  • 焊接速度:0.1mm/s ~ 10mm/s
  • 通过真空烘烤和惰性气体填充,能够有效降低器件内部的水汽及氧气含量,改善器件的高性能要求。
真空共晶炉
WT2330 系列超声热压金丝球焊机

WT2330 系列超声热压金丝球焊机

  • 型号:WT2330 系列
  • 键合类型:手动键合,
  • 可用金丝线径:20-50um,
  • 一焊二焊最大跨度:可以达到4mm以上
  • 视觉系统:体视显微镜(5×、30×)
  • COS芯片封装中不可缺少的工艺步骤,可以增加器件的可靠性。

研发成果


服务客户

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