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AgGaS2

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AgGaS2（硫镓银，AGS）晶体是一种典型的I-Ⅲ-VⅥ2黄铜矿结构化合物半导体，在常温下为淡黄色，晶体红外透明范围较宽，非线性系数较大，具有较大的双折射（~0.054），能隙为2.75eV，品质因数高，光损伤阈值高，可用于二次谐波的产生、和频、光参量振荡等。特别是，AgGaS2晶体作为参量上转换器件，在室温下即可实现90°非临界相位匹配，在0~100℃范围，可将10.2~11.6 μm波段的红外光转换成0.566μm绿光。这些对于调谐CO2激光器作探测光源的遥感、测距和光谱测量的应用有十分重要的意义。

AgGaS2晶体是一种性能优异的、在红外探测、红外遥控、红外监测、激光通讯和国防、科技等领域中有重要研究价值和应用前景的新型先进红外非线性光学材料。

特点

  • 宽透光度范围
  • 低光吸收和低散射
  • 短波长透光
  • 大的非线性光学系数
  • 转换效率高

基本特性

化学式AgGaS2
透过范围0.47 - 13µm
晶体结构四方晶系
晶格常数a=5.756Å，c=10.301 Å
密度4.48g/cm3
莫氏硬度3.0 - 3.5
非线性系数 @10.6 μm, pm/Vd36 = 12.5 pm/V
熔点993℃
吸收系数<0.05 cm-1 @ 1.064 µm
<0.02 cm-1 @ 10.6 µm
负单晶轴no>ne(当λ<0.497µm时ne>no)
热导率1.0 W/M/℃
SHG 相位匹配1.8-11.2 µm
抗损伤阈值@10 ns, 1.064 um30 MW/cm2(surface)
热膨胀系数||C: -8.1 x 10-6 /℃
⊥C: +19.8 x 10-6 /℃
热光系数dno/dt=15.4 x 10-5/℃
dne/dt=15.5 x 10-5/℃ 
Sellmeier方程 (λ in μm) T=20℃no2=3.3970+2.3982λ2/( λ2– 0.09311) +2.1640 λ2 /(λ2-950);
ne2=3.5873+1.9533λ2/(λ2 – 0.11066) + 2.3391λ2/(λ2-1030.7)
带隙2.7eV
双折射0.0231@0.53 µm
0.0504@0.694 µm
0.0542@1.06 µm
0.0533@5.3 µm
0.0542@10.6 µm

加工参数

定向精度<+-0.1°
表面光洁度20/10 per MIL-O-13830A 
面型λ/8@632.8nm for T>=1mm
通光面公差+0/-0.1mm
长度公差±0.1mm
平行度30 ″
垂直度10′
倒边<0.2mm×45°

光谱

AgGaS2透过率-南京光宝-CRYLINKAgGaS2透过率2-南京光宝-CRYLINK
AgGaS2晶体的透射谱Nd：YAG激光泵浦OPO用14 mm长镀膜和未镀膜AgGaS2晶体的透射谱
AgGaS2相位匹配-南京光宝-CRYLINK
AgGaS2 Type 1 OPO和SHG 相位匹配曲线

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