当前位置： 首页 » Products » 键合晶体 » Ti:sapphire+sapphire

Ti:sapphire+sapphire

当前位置： 首页 » Products » 键合晶体 » Ti:sapphire+sapphire
Ti:sapphire+sapphire
下载产品单页

我司Ti:sapphire+sapphire键合晶体，是在Ti:sapphire一端键合Sapphire形成的键合晶体，可以有效的改善Ti:sapphire激光的综合性能。

Sapphire晶体的热导率为25.12W/m/k (@ 100℃)，键合形成Ti:sapphire+sapphire键合晶体，可以有效改善Ti:sapphire晶体的热效应，降低激光泵浦时形成的热透镜效应，卓越的输出效率，窄锁模宽度，高损伤阈值，优良的导热性以及改善激光的光束质量，提升800nm激光输出效率，并能提升激光器的输出能力稳定性，提升激光器的使用寿命。

芯飞睿使用表面活化键合技术，是一种低温或者常温下的键合技术，典型特征是表面清洗和表面活化。在键合前，通过快原子或者离子束对键合表面的轰击，可以有效的增加键合强度，实现对无机材料、金属、半导体材料间的高质量键合。与高温热键合方法相比，表面活化键合技术键合结合力界面较高、光吸收损耗和面形变化控制相对而言更优，而热扩散键合表面的杂质去不掉，被键合在结合面。表面活化键合技术有去除各种抛光的残留成分、去除有机污染物、去除表面氧化层和打断材料化学键，提升活化能等优点。

生产的Ti:sapphire+sapphire键合晶体的键合强度高、键合面吸收损耗小（一般小于20ppm）、键合面面形变化小（键合后面形<lamda/8)。键合晶体的形状可以是棒状、板状、波导或者三明治形状。在键合晶体两端可以提供多种类型的镀膜，如两个端面增透膜AR@600-800nm&532nm等。Ti:sapphire+sapphire键合晶体广泛应用于波长可调谐激光器中。

特点：

  • 可以有效改善Ti:sapphire晶体的热效应
  • 降低激光泵浦时形成的热透镜效应
  • 卓越的输出效率，窄锁模宽度，高损伤阈值
  • 优良的导热性以及改善激光的光束质量
  • 提升800nm激光输出效率
  • 能提升激光器的输出能力稳定性，提升激光器的使用寿命

Ti:sapphire+sapphire

Ti:sapphire+Sapphire
MaterialsTi:sapphiresapphire
Absorption coefficient0.6~6.5cm-1/
StructureRods/Slabs/Sandwich/Waveguide/
End-face ConfigurationFlat/Convex/Wedge
Side ConfigurationPolish/Fine Ground
Coating availableAR@600-800nm&532nmAR@600-800nm&532nm
othersothers

如果你对我们的Ti:sapphire+sapphire感兴趣，请联系我们获取价格或申请样品。

询价/样品

与Ti:sapphire+sapphire相关的文章：

暂无与本产品相关的文章，请访问芯飞睿的文章页面播放其他文章。

与Ti:sapphire+sapphire相关的案例：

暂无与本产品相关的案例，请访问芯飞睿的案例页面查看其他案例。

与Ti:sapphire+sapphire相关的解决方案：

与Ti:sapphire+sapphire相关的视频：